設(shè)備型號:GPV-HP-WSG08
設(shè)備簡介:該設(shè)備可實現(xiàn)單晶硅片的的無損切割,兼容性強、效率高、切割質(zhì)量好,穩(wěn)定可靠。
設(shè)備優(yōu)勢與特點:
1、上下料方式靈活,支持花籃或料盒。
2、主體框架為鋼構(gòu)焊接結(jié)構(gòu),堅固可靠,保障運行平穩(wěn)。
3、特制無痕吸盤。
4、雙軌獨立控制。
5、程序可儲存多組配方,更換不同產(chǎn)品可快速切換。
6、程序可設(shè)置具有密碼保護的多重操作權(quán)限。
7、自主AI算法實現(xiàn)PL與紅外隱裂檢測。
8、支持MES對接。
技術(shù)參數(shù):
序號 | 設(shè)備規(guī)格 | 標準值 |
---|---|---|
1 | 設(shè)備型號 | GPV-HP-WSG08 |
2 | 產(chǎn)能 | 6500PCS/H |
3 | 綜合破片率 | ≤0.2% |
4 | 硅片適用類型 | 單晶硅片 |
5 | 硅片適用尺寸 | G12,公差±0.25mm |
6 | 硅片厚度 | 100-130um,±10um |
7 | 切片規(guī)格 | 標配 1/2片 |
8 | 直線度 | ±0.075mm |
9 | 大小片 | ±0.075mm |
10 | 切片方式 | 激光無損切割,有水 |
11 | 頭尾開槽長度 | ≤1.5mm±0.2mm |
12 | 頭尾開槽寬度 | ≤100μm±10μm |
13 | 頭尾開槽深度 | ≤厚度的40% (可調(diào)) |
14 | 熱影響區(qū)域 | 無(頭尾開槽除外) |
15 | 劃痕控制 | 無傳輸過程引起的劃痕、破損、污染 |
16 | 檢測模塊 | PL(必選)、紅外隱裂(必選)、大小片(必選)、電阻率/厚度(可選)、少子(可選) |
17 | MES接口 | 有,支持設(shè)備數(shù)據(jù)輸出給中央控制主機 |
18 | 使用環(huán)境溫度 | 25℃±10℃ |
19 | 壓縮空氣 | 0.5MPa-0.8MPa |
20 | 電源 | AC 380V 50/60Hz 三相五線制 |
21 | 耗電量 | 峰值:55KW ,平均:33KW |
22 | 設(shè)備重量 | 10000KG |
23 | 設(shè)備尺寸 | 12900mm×2485mm×2275mm |